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H2369	文件：242.91 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS Thisdeviceisdesignedforhighspeedsaturated switchingatcollectorcurrentsofmAto100mA	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 华汕电子器件汕头华汕电子器件有限公司	Huashan
HCH2369	文件：444.1 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
HM2369	文件：560.35 Kbytes Page：3 Pages	30VP-ChannelEnhancement-ModeMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMBT2369	文件：30.31 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHMBT2369isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features •LowCollectorSaturationVoltage •HighspeedswitchingTransistor	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HMH2369	文件：43.52 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHPH2369isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features •LowCollectorSaturationVoltage •HighspeedswitchingTransistor	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HPH2369	文件：43.52 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHPH2369isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features •LowCollectorSaturationVoltage •HighspeedswitchingTransistor	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
HPN2369A	文件：39.48 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHPN2369Aisdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features •LowCollectorSaturationVoltage •HighSpeedSwitchingTransistor	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
KI2369DS	文件：2.20127 Mbytes Page：6 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-7.6A(VGS=±20V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KI2369DS-HF	文件：2.25568 Mbytes Page：6 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-7.6A(VGS=±20V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KTH2369	文件：309.09 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHSPEEDSWITCHING) HIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •HighFrequencyCharacteristics :fT=500MHz(Min.)(VCE=10V,f=100MHz,IC=10mA). •ExcellentSwitchingCharacteristics.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

详细参数

型号：
FMMT2369ATA
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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