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FM630-T	文件：80.61 Kbytes Page：2 Pages	Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type Features PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FPN630	文件：47.83 Kbytes Page：4 Pages	PNPLowSaturationTransistor PNPLowSaturationTransistor Thesedevicesaredesignedforhighcurrentgainandlow saturationvoltagewithcollectorcurrentsupto3.0Acontinuous. SourcedfromProcessPC.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FPN630A	文件：47.83 Kbytes Page：4 Pages	PNPLowSaturationTransistor PNPLowSaturationTransistor Thesedevicesaredesignedforhighcurrentgainandlow saturationvoltagewithcollectorcurrentsupto3.0Acontinuous. SourcedfromProcessPC.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FPT630	文件：94.06 Kbytes Page：2 Pages	MiniatureCeramicSiliconPhototransistors GeneralDescription TheFPT610andFPT630areminiature phototransistorswithexceptionallystable characteristics.Theyutilizeaceramiccasewith transparentresinencapsulation.Thespectral response,extendingfrom400to1100nm,is compatiblewithdaylight,tungstenandgallium arsen	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB630	文件：759.71 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET 200VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD630	文件：775.78 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD630	文件：858.87 Kbytes Page：9 Pages	200VLOGICN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD630TF	文件：753 Kbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=200V,ID=8A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FQD630TM	文件：858.87 Kbytes Page：9 Pages	200VLOGICN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD630TM	文件：707.02 Kbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=200V,ID=8A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip

详细参数

型号：
FM630-T
制造商：
FORMOSA
制造商全称：
Formosa MS
功能描述：
Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FM630-T供应商更新时间2025-7-17 17:45:00

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