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FM560-T	文件：80.6 Kbytes Page：2 Pages	Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type Siliconepitaxialplanertype Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ●Forsurfacemountedapplications. ●ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ●Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM560-T1	文件：202.38 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE-20TO200VOLTSCURRENT-5.0AMPERES FEATURES •Batchprocessdesign,excellentpowerdissipationoffersbetterreverseleakagecurrentandthermalresistance. •Lowprofilesurfacemountedapplicationinordertooptimizeboardspace. •Lowpowerloss,highefficiency. •Highcurr	PACELEADERPACELEADER INDUSTRIAL 霈峰霈峰实业有限公司	PACELEADER
FM560V	文件：425.41 Kbytes Page：7 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERVOLTAGERANGE20to200VoltsCURRENT5.0Ampere FEATURES Idealforsurfacemountedapplications Lowleakagecurrent P/NsuffixVmeansHalogen-free P/NsuffixVmeansAEC-Q101qualified,e.g:FM520V	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FMMT560	文件：42.39 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR FEATURES ExcellenthFEcharacterisristicsuptoIC=50mA LowSaturationvoltages	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT560	文件：486.41 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR Features •BVCEO>-500V •IC=-150mAhighContinuousCollectorCurrent •ICMUpto500mAPeakPulseCurrent •ExcellenthFECharacteristicsuptoIC=100mA •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifiedto	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT560	文件：436.08 Kbytes Page：17 Pages	A0.9-AConstantCurrentSupplywithPFCfor100-WLED	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
FMMT560Q	文件：569.75 Kbytes Page：7 Pages	500VPNPHIGHVOLTAGETRANSISTORINSOT23 Features BVCEO>-500V IC=-150mAhighContinuousCollectorCurrent ICMUpto-500mAPeakPulseCurrent ExcellenthFECharacteristicsuptoIC=-100mA TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheFMMT560Qissuitableforaut	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT560QTA	文件：569.75 Kbytes Page：7 Pages	500VPNPHIGHVOLTAGETRANSISTORINSOT23 Features BVCEO>-500V IC=-150mAhighContinuousCollectorCurrent ICMUpto-500mAPeakPulseCurrent ExcellenthFECharacteristicsuptoIC=-100mA TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheFMMT560Qissuitableforaut	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT560QTC	文件：569.75 Kbytes Page：7 Pages	500VPNPHIGHVOLTAGETRANSISTORINSOT23 Features BVCEO>-500V IC=-150mAhighContinuousCollectorCurrent ICMUpto-500mAPeakPulseCurrent ExcellenthFECharacteristicsuptoIC=-100mA TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheFMMT560Qissuitableforaut	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT560TA	文件：486.41 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR Features •BVCEO>-500V •IC=-150mAhighContinuousCollectorCurrent •ICMUpto500mAPeakPulseCurrent •ExcellenthFECharacteristicsuptoIC=100mA •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifiedto	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
FM560-T
制造商：
FORMOSA
制造商全称：
Formosa MS
功能描述：
Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FM560-T供应商更新时间2025-7-25 17:55:00

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