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FJV3110R

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Switching Application (Bias Resistor Built In) • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor (R=10KΩ) • Complement to FJV4110R

文件:52.01 Kbytes 页数:4 Pages

Fairchild

仙童半导体

FJV3110RMTF

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Switching Application (Bias Resistor Built In) • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor (R=10KΩ) • Complement to FJV4110R

文件:52.01 Kbytes 页数:4 Pages

Fairchild

仙童半导体

FJV3110R

NPN Epitaxial Silicon Transistor

文件:237.5 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FJV3110RMTF

丝印:R30;Package:SOT-23;NPN Epitaxial Silicon Transistor

文件:237.5 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FJV3110R

带偏置电阻的 NPN 外延硅晶体管

带内置电阻的晶体管由于其减少的零件数量和简化的电路设计,可极大地节约空间和成本。 •100 mA 输出电流处理能力\n•内置偏置电阻 (R = 10 KΩ);

ONSEMI

安森美半导体

FJV3110RMTF

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    FJV3110RMTF

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHILD/FSC/仙童飞兆半
24+
SOT-23
6200
新进库存/原装
询价
ONSemiconductor
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
询价
SOT-23
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
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三年内
1983
只做原装正品
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FSC/ON
23+
原包装原封 □□
1500
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存
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ON
25+
SOT-23-3
16750
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ON/安森美
24+
SOT-23
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
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FAIRCHILD/仙童
23+
SOT-23
50000
全新原装正品现货,支持订货
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ON Semiconductor
2022+
原厂原包装
8600
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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FAI
23+
SOT-23
64392
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
询价
更多FJV3110供应商 更新时间2025-11-3 16:30:00