ESBC 额定 NPN 硅晶体管

FJP2160D是一个低成本、高性能的功率开关，当它在以下应用的ESBC™配置中使用时可提供最佳的性能： 电源、电机驱动器、智能电网或点火开关。 功率开关可在高达1600V的电压和3A的电流下工作，同时提供出色的低导通电阻和极低的开关损耗。 ESBC™ 开关可轻松使用现成的电源控制器或驱动器进行驱动。 ESBC™ MOSFET是一个将低输入电容与快速开关整合在一起的低压、低成本的表面贴装器件，ESBC™ 配置可进一步实现所需的最小驱动功率，因为它不包含米勒电容。 FJP2160D因其具有方形的反向偏压安全工作区(RBSOA)和坚固的设计，因此它可提供一流的可靠性和广泛的工作范围。 该器件具有雪 •等效的低导通电阻\n•平方RBSOA： 最高1600V\n•低驱动电容、无米勒电容（典型值12pF Cap @ 200 V）\n•可靠的HV开关： 因其具有高dv/dt瞬变能力，因此无误触发。\n;

ONSEMI

安森美半导体

ESBCTM Rated NPN Silicon Transistor

文件：708.54 Kbytes 页数：12 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Package：TO-220-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 800V 2A TO220-3

ONSEMI

安森美半导体

1.5A LOW VOLTAGE LOW DROPOUT CMOS REGULATOR

文件：254.99 Kbytes 页数：11 Pages

FOSLINK

mini-pcle slot

文件：235.61 Kbytes 页数：2 Pages

AAEON

研扬科技

KEMET, GTX, EMI/RFI Filters, Noise Suppression, 250 VAC, 560 V, 16 A, 75x44x25mm

文件：75.95 Kbytes 页数：1 Pages

KEMETKEMET Corporation

基美