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FIR9N50

高压平面MOS

First

福斯特

FIR9N50FG

N-Channel Power MOSFET

文件:6.79138 Mbytes 页数:9 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR9N50FG(M)

功率MOS/高压功率MOS

First

福斯特

FIR9N50FG(T)

功率MOS/高压功率MOS

First

福斯特

技术参数

  • ID [A]:

    8

  • RDS(on) [MΩ]:

    0.85

  • Package:

    TO-220;TO-220F

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-220
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更多FIR9N50供应商 更新时间2025-11-8 9:38:00