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FIR50N06FG	文件：5.35931 Mbytes Page：6 Pages	丝印：FIR50N06F；Package：TO-220F；N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 文件：5.35931 Mbytes 页数：6 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR50N06LG	文件：5.82202 Mbytes Page：7 Pages	丝印：FIR50N06L；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet-D 文件：5.82202 Mbytes 页数：7 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR50N06PG	文件：5.20437 Mbytes Page：8 Pages	丝印：FIR50N06P；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 文件：5.20437 Mbytes 页数：8 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR50N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	中低压MOS	First 福斯特	First
FIR50N06AFG	文件：4.75952 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 文件：4.75952 Mbytes 页数：7 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR50N06APG	文件：6.67887 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 文件：6.67887 Mbytes 页数：8 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR50N06F	文件：1.38885 Mbytes Page：7 Pages	ThinkiSemi 50A,60V Insualted Planar N-Channel Power MOSFETs 文件：1.38885 Mbytes 页数：7 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
FIR50N06P	文件：1.30697 Mbytes Page：7 Pages	50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFETs 文件：1.30697 Mbytes 页数：7 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
FIR50N06APG	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOS/中低压功率MOS	First 福斯特	First
FIR50N06FG	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOS/中低压功率MOS	First 福斯特	First

技术参数

ID [A]：
50
VGS [±V]：
±20
VGS(th) [V]：
2~4
RDS(on) [MΩ]：
20
Package：
TO-220F

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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