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RFD12N06RLE	文件：215.95 Kbytes Page：10 Pages	17A,60V,0.071Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.063Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.071Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER© ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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RFD12N06RLESM	文件：49.12 Kbytes Page：6 Pages	12A,60V,0.135Ohm,N-Channel,LogicLevel,PowerMOSFETs TheseN-ChannellogiclevelESDprotectedpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogic	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFD12N06RLESM	文件：896.99 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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RFP12N06RLE	文件：215.95 Kbytes Page：10 Pages	17A,60V,0.071Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.063Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.071Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER© ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFP12N06RLE	文件：49.12 Kbytes Page：6 Pages	12A,60V,0.135Ohm,N-Channel,LogicLevel,PowerMOSFETs TheseN-ChannellogiclevelESDprotectedpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogic	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFP12N06RLE	文件：1.31321 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SDP12N06	文件：1.1062 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SG12N06DP	文件：202.12 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)	SIRECT
SG12N06DP	文件：198.75 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
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SG12N06DT	文件：112.49 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)	SIRECT
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SG12N06T	文件：108.84 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
SG12N06T	文件：112.49 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)	SIRECT
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STD12N06L	文件：176.25 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.115Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■LOGICLEVELCOMPATIBLEINPUT ■175oCOPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTED CH	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STK12N06L	文件：180.64 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.115Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■LOGICLEVELCOMPATIBLEINPUT ■175oCOPERATINGTEMPERATUREFORSTANDARDPACKAGE ■APPLIC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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更多FIR12N06PG供应商更新时间2024-6-6 14:41:00

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