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FIO50-12BD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

FIO50-12BD
厂商型号

FIO50-12BD

参数属性

FIO50-12BD 封装/外壳为i4-Pac™-5;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 50A 200W I4PAC5

功能描述

Bidirectional Switch with NPT3 IGBT and fast Diode Bridge
IGBT 1200V 50A 200W I4PAC5

封装外壳

i4-Pac™-5

文件大小

82.19 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-1 17:45:00

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FIO50-12BD规格书详情

FIO50-12BD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的FIO50-12BD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

Bidirectional Switch with NPT3 IGBT and fast Diode Bridge in ISOPLUS i4-PACTM

Features

• NPT3 IGBT

- low saturation voltage

- positive temperature coefficient for easy paralleling

- fast switching

- short tail current for optimized performance in resonant circuits

• HiPerFREDTM diodes

- fast reverse recovery

- low operating forward voltage

- low leakage current

• ISOPLUS i4-PACTM package

- isolated back surface

- low coupling capacity between pins and heatsink

- enlarged creepage towards heatsink

- application friendly pinout

- low inductive current path

- high reliability

- industry standard outline

- UL registered, E 72873

Applications

switches to control bidirectional current flow by a single control signal:

• matrix converters

• spare matrix converters

• AC controllers

产品属性

更多
  • 产品编号:

    FIO50-12BD

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    4.6mJ(开),2.2mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 测试条件:

    600V,30A,39 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    i4-Pac™-5

  • 供应商器件封装:

    ISOPLUS i4-PAC™

  • 描述:

    IGBT 1200V 50A 200W I4PAC5

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