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FHU50N06A

场效应管(MOSFET)

E-CMOS

飞虹高科

FIR50N06AFG

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

文件:4.75952 Mbytes 页数:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR50N06APG

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

文件:6.67887 Mbytes 页数:8 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR50N06F

ThinkiSemi 50A,60V Insualted Planar N-Channel Power MOSFETs

文件:1.38885 Mbytes 页数:7 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    60V

  • 连续漏极电流(Id):

    50A

  • 功率(Pd):

    39W

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id):

    4V@250uA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FHU50N06A供应商 更新时间2025-11-3 15:05:00