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FHU2N60A	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS(场效应管)	FeiHong 飞虹	FeiHong
FIR2N60AFG	文件：2.57218 Mbytes Page：8 Pages	600V N-Channel MOSFET-I 文件：2.57218 Mbytes 页数：8 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR2N60ALG	文件：2.68704 Mbytes Page：8 Pages	600V N-Channel MOSFET-I 文件：2.68704 Mbytes 页数：8 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR2N60BTPG	文件：3.72386 Mbytes Page：7 Pages	Advanced N-Ch Power MOSFET 文件：3.72386 Mbytes 页数：7 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER

技术参数

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：
2A(Tc)
栅源极阈值电压：
4V @ 250uA
漏源导通电阻：
4.5Ω @ 1A
最大功率耗散（Ta=25°C）：
35W(Tc)
类型：
N沟道

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更多FHU2N60A供应商更新时间2025-11-3 15:05:00

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