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FHS80N07A

场效应管(MOSFET)

E-CMOS

飞虹高科

FHS80N07A

MOS(场效应管)

FeiHong

飞虹

FIR80N07PG

Silicon N Channel Power MOSFET

文件:2.79212 Mbytes 页数:4 Pages

FOSTER

福斯特半导体

HY80N07T

65V / 80A N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:228.07 Kbytes 页数:4 Pages

HY

虹扬科技

LMFB80N07

N-Channel Super Trench Power MOSFET

文件:2.21183 Mbytes 页数:6 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    68V

  • 连续漏极电流(Id):

    80A

  • 功率(Pd):

    110W

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id):

    3V@250uA

  • 栅极电荷(Qg@Vgs):

    73nC@10V

  • 输入电容(Ciss@Vds):

    3.2nF@25V

  • 反向传输电容(Crss@Vds):

    270pF@25V

  • 工作温度:

    -55℃~+175℃@(Tj)

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FeiHong(飞虹)
2447
TO-263
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FeiHong(飞虹)
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更多FHS80N07A供应商 更新时间2025-11-3 15:05:00