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FHP7N65G	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管(MOSFET)	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
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FIR7N65AALG	文件：4.06678 Mbytes Page：9 Pages	650V N-Channel MOSFET 文件：4.06678 Mbytes 页数：9 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR7N65ABPG	文件：4.06678 Mbytes Page：9 Pages	650V N-Channel MOSFET 文件：4.06678 Mbytes 页数：9 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR7N65BPG	文件：4.33285 Mbytes Page：8 Pages	Advanced N-Ch Power MOSFET-I 文件：4.33285 Mbytes 页数：8 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER

技术参数

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：
7A (Tc)
栅源极阈值电压：
4V @ 250uA
漏源导通电阻：
1.3Ω @ 3.5A
最大功率耗散（Ta=25°C）：
100W(Tc)
类型：
N沟道

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