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FHP20N60A

MOS(场效应管)

FeiHong

飞虹

FHP20N60A

场效应管(MOSFET)

E-CMOS

飞虹高科

FIR20N60AFG

600V N-Channel MOSFET-T

文件:2.33058 Mbytes 页数:8 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR20N60FG

N-Channel Power MOSFET

文件:4.36088 Mbytes 页数:10 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FML20N60

20Amps 600 Voltage N Channel MOSFET

文件:787.87 Kbytes 页数:7 Pages

FCI

富加宜

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    600V

  • 连续漏极电流(Id):

    2A

  • 功率(Pd):

    85W

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id):

    4V@250uA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FeiHong(飞虹)
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更多FHP20N60A供应商 更新时间2025-11-3 15:05:00