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FHF7N60A

MOS(场效应管)

FeiHong

飞虹

FHF7N60A

场效应管(MOSFET)

E-CMOS

飞虹高科

FIR7N60AALG

600V N-Channel MOSFET

文件:4.14763 Mbytes 页数:9 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR7N60ABPG

600V N-Channel MOSFET

文件:4.14763 Mbytes 页数:9 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR7N60BPG

Advanced N-Ch Power MOSFET-I

文件:4.33249 Mbytes 页数:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    600V

  • 连续漏极电流(Id):

    7A

  • 功率(Pd):

    35W

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id):

    4V@250uA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FeiHong(飞虹)
2447
TO-220F
105000
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FEIHONG/飞虹
23+
TO-220220F251252
425120
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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FeiHong(飞虹)
20+
TO-220F-3
50
询价
24+
N/A
56000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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FEIHONLTD飞虹
25+23+
TO220F
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FEIHONG/飞虹
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TO220F
50000
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FEIHONLTD飞虹
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TO220F
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TO220F
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FEIHONLTD飞虹
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TO220F
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更多FHF7N60A供应商 更新时间2025-11-2 15:01:00