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FHD80N08B

MOS(场效应管)

FeiHong

飞虹

FIR80N08LG

100V N-Channel MOSFET-D

文件:2.08975 Mbytes 页数:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR80N08PG

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet-D

文件:3.47918 Mbytes 页数:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR80N08RG

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet-D

文件:3.56958 Mbytes 页数:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

技术参数

  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时):

    80A(Tc)

  • 栅源极阈值电压:

    4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻:

    9.5mΩ @ 40A

  • 最大功率耗散(Ta=25°C):

    45W(Tc)

  • 类型:

    N沟道

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FeiHong(飞虹)
2447
TO-252
315000
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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FeiHong(飞虹)
20+
TO-252-2
3000
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24+
N/A
57000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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FH/风华高科
22+
SOT-89
25000
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FH/风华高科
24+
NA/
4250
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FENGHUA
23+
SOT-89
7300
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FH/风华高科
25+
SOT-89
1000
原装正品,假一罚十!
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FH/风华高科
2450+
SOT-89
9850
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
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FH/风华高科
23+
SOT-89
50000
全新原装正品现货,支持订货
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FH/风华高科
24+
SOT-89
60000
询价
更多FHD80N08B供应商 更新时间2025-11-2 15:01:00