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FHD2N65D

MOS(场效应管)

FeiHong

飞虹

FIR2N65ABPG

650V N-Channel MOSFET -I

文件:2.98479 Mbytes 页数:8 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR2N65ALG

650V N-Channel MOSFET -I

文件:2.98594 Mbytes 页数:8 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FTK2N65D

2 Amps, 650 Volts N-CHANNEL MOSFET

文件:346.19 Kbytes 页数:7 Pages

FS

技术参数

  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时):

    2A(Tc)

  • 栅源极阈值电压:

    4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻:

    5.5Ω @ 1A

  • 最大功率耗散(Ta=25°C):

    35W(Tc)

  • 类型:

    N沟道

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FeiHong(飞虹)
2447
TO-252
105000
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FeiHong(飞虹)
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FH/飞虹
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CJIANG(长江微电)
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更多FHD2N65D供应商 更新时间2025-11-2 15:01:00