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FHA20N65A

场效应管(MOSFET)

E-CMOS

飞虹高科

FHA20N65A

MOS(场效应管)

FeiHong

飞虹

FIR20N65AFG

Low Intrinsic Capacitances

文件:2.68488 Mbytes 页数:8 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR20N65FG

N-Channel Power MOSFET

文件:8.63665 Mbytes 页数:10 Pages

FOSTER

福斯特半导体

GB20N65FS

650V/20A Field Stop IGBT

Features 650V 20A,VCE(sat)(typ.) = 1.80 V@20A Field Stop IGBT Technology. 10μs Short Circuit Capability. Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits High Efficiency for Motor Control. Rugged Performance. Excellent Current Sharing in Parallel Operation

文件:1.38001 Mbytes 页数:9 Pages

LUGUANG

鲁光电子

技术参数

  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时):

    20A(Tc)

  • 栅源极阈值电压:

    4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻:

    400mΩ @ 10A

  • 最大功率耗散(Ta=25°C):

    250W(Tc)

  • 类型:

    N沟道

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FeiHong(飞虹)
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TO-3PN
105000
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FeiHong(飞虹)
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TO-3PN
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TO-247
50000
飞虹原厂渠道,技术支持
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飞虹
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TO-247
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TO-247
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更多FHA20N65A供应商 更新时间2025-11-3 11:05:00