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FHA20N60A

场效应管(MOSFET)

E-CMOS

飞虹高科

FHA20N60A

MOS(场效应管)

FeiHong

飞虹

FIR20N60AFG

600V N-Channel MOSFET-T

文件:2.33058 Mbytes 页数:8 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR20N60FG

N-Channel Power MOSFET

文件:4.36088 Mbytes 页数:10 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FML20N60

20Amps 600 Voltage N Channel MOSFET

文件:787.87 Kbytes 页数:7 Pages

FCI

富加宜

技术参数

  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时):

    20A(Tc)

  • 栅源极阈值电压:

    4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻:

    400mΩ @ 10A

  • 最大功率耗散(Ta=25°C):

    272W(Tc)

  • 类型:

    N沟道

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FeiHong(飞虹)
2447
TO-3PN
315000
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FeiHong(飞虹)
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TO-3PN
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N/A
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飞虹
22+
TO-247
50000
飞虹原厂渠道,技术支持
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飞虹
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TO-247
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TO-247
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更多FHA20N60A供应商 更新时间2025-11-3 15:05:00