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FH102数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

FH102

参数属性

FH102 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ 6MCP

功能描述

NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor High-Frequency Low-Noise Amp, Differential Amp Applications
RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ 6MCP

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:00:00

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FH102规格书详情

简介

FH102属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的FH102晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

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  • 产品编号:

    FH102A-TR-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    7GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1dB @ 1GHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    500mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    90 @ 20mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    70mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    6-MCP

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ 6MCP

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