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FGPF30N45T

450V, 30A PDP Trench IGBT

文件:538.5 Kbytes 页数:7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FGPF30N45TTU

IGBT 450V 50.4W TO220F

ONSEMI

安森美半导体

FGPF30N45TTU

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 450V 50.4W TO220F

ONSEMI

安森美半导体

FGFP30N45TTU

450V, 30A PDP Trench IGBT

文件:538.5 Kbytes 页数:7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

技术参数

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    450V

  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm):

    120A

  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):

    1.6V @ 15V,20A

  • 功率 - 最大值:

    50.4W

  • 输入类型:

    标准

  • 栅极电荷:

    73nC

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220F

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHILD
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更多FGPF30N45T供应商 更新时间2025-10-4 16:30:00