选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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原装NA |
35819 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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QFN |
15000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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FAIRCHILDTO-264 |
8000 |
23+ |
原装现货,价格优势 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-264 |
90000 |
2020+ |
只做原装价格优势现货 |
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深圳市鑫炜纳电子有限公司6年
留言
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ON/FAIRCHILD原厂原封装 |
93628 |
2021+ |
原装进口现货 假一罚百 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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FAIRCHILDTO-264 |
4500 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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ON/安森美TO-264 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-264 |
13316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ONTO247 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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ONSOT23 |
12750 |
21+ |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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ON/安森美TO-264 |
11250 |
24+ |
只做原装只有原装假一罚百可开增值税票 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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ON/安森美TO-264 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市远进半导体有限公司3年
留言
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ON/安森美原装正品 |
33000 |
新批次 |
3月30更新微信报价 可提供技术PDF |
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深圳市芯巴巴科技有限公司2年
留言
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ON/安森美TO-264 |
10000 |
22+ |
只做原装现货 假一赔万 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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FSC原装正品专卖价格TO-264 |
95260 |
23+ |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
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深圳市科思奇电子科技有限公司7年
留言
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ON/安森美TO-264 |
5000 |
20+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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ONTO-264 |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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ONTO-264 |
361 |
2020 |
全新原装公司现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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ONTO-264 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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FGL40N120ANTU价格
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FGL40N120现货代理原厂授权
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更多FGL40N120AN制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT IGBT
FGL40N120AN_06制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT IGBT
FGL40N120AND制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT NPT TO-264 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT TO-264 TUBE 25
FGL40N120AND_06制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT IGBT
FGL40N120ANDTU功能描述:IGBT 晶体管 1200V NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGL40N120ANTU功能描述:IGBT 晶体管 1200V NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGL40N150制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of the IGBT
FGL40N150D制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of the IGBT
FGL40N150DTU功能描述:IGBT 晶体管 1500V/40A/FRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGL40N60UFD制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor