丝印：FGH40T65SPD；Package：TO-247-3LD；IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 40 A

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安森美半导体

IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 40 A

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安森美半导体

IGBT，650V，40A，场截止沟槽

飞兆半导体的场截止第三代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。 •最大结温：TJ = 175°C\n•正温度系数，易于并联运行\n•高电流能力\n•低饱和电压：VCE(sat) = 1.85 V（典型值）@ IC = 40 A\n•高输入阻抗\n•快速开关\n•紧密的参数分布\n•符合 RoHS 标准\n•短路耐用性 > 5 us @ 25°C;

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Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT NPT 650V 80A TO247-3

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Package：TO-247-3；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 650V 80A 267W TO-247

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