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FGH40T120SMD	文件：524.9 Kbytes Page：10 Pages	IGBT - Field Stop, Trench 1200 V, 40 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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FGH40T120SMDL4	文件：592.5 Kbytes Page：10 Pages	IGBT - FS, Trench 1200 V, 40 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH40T120SQDNL4	文件：476.99 Kbytes Page：11 Pages	IGBT - Ultra Field Stop	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH40T120SMD-F155	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 80A 555W TO247-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH40T120SMDL4	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-4 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH40T120SQDNL4	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-4 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 40A UFS FOR SO	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AFGHL40T120RWD	文件：231.22 Kbytes Page：9 Pages	IGBT–Power,Co-PAKN-Channel,FieldStopVII(FS7),SCR,PowerTO247-3L1200V,1.45V,40A Description Usingthenovelfieldstop7thgenerationIGBTtechnologyandthe Gen7DiodeinTO2473−leadpackage,thisdeviceofferstheoptimum performancewithlowonstatevoltageandminimalswitchinglosses forbothhardandsoftswitchingtopologyinautomotiveapplications. Features	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AFGHL40T120RWD-STD	文件：628.68 Kbytes Page：9 Pages	IGBT–Power,Co-PAKN-Channel,FieldStopVII(FS7),SCR,TO247-3L1200V,1.67V,40A Description Usingthenovelfieldstop7thgenerationIGBTtechnologyandthe Gen7DiodeinTO2473−leadpackage,thisdeviceoffersgood performancewithlowonstatevoltageandlowswitchinglossesfor bothhardandsoftswitchingtopologiesinautomotiveapplications. Features Extremel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AFGHL40T120RW-STD	文件：530.06 Kbytes Page：8 Pages	IGBT–Power,Single,N-Channel,FieldStopVII(FS7),SCR,TO247-3L1200V,1.67V,40A Description Usingthenovelfieldstop7thgenerationIGBTtechnologyin TO2473−leadpackage,thisdeviceoffersgoodperformancewithlow onstatevoltageandlowswitchinglossesforbothhardandsoft switchingtopologiesinautomotiveapplications. Features ExtremelyEfficientTrench	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGHL40T120RWD	文件：449.43 Kbytes Page：9 Pages	IGBT–Power,Co-PAKN-Channel,FieldStopVII(FS7),SCR,TO247-3L1200V,1.5V,40A Description Usingthenovelfieldstop7thgenerationIGBTtechnologyandthe Gen7DiodeinTO2473−leadpackage,FGHL40T120RWDoffersthe optimumperformancewithlowconductionlossesandgoodswitching controllabilityforahighefficiencyoperationinvariousapplications likemotorcontr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGHL40T120SWD	文件：420.37 Kbytes Page：5 Pages	FieldStopIGBT DESCRIPTION ·HighCurrentCapability ·LowSwitchingLoss ·PositiveTemperatureCoefficientforEasyParallelOperation APPLICATIONS ·BoostandInverterinSolarApplications ·TUPS ·EnergyStorageSystem	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
H40T120	文件：360.16 Kbytes Page：14 Pages	SoftSwitchingSeries •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -SoftSwitchingApplications -InductionHeating •TrenchStop® andFieldstoptechnologyfor1200Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -easyparallelswitchi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGW40T120	文件：356.88 Kbytes Page：13 Pages	LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGW40T120	文件：419.25 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHW40T120	文件：354.32 Kbytes Page：14 Pages	IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHW40T120	文件：360.16 Kbytes Page：14 Pages	SoftSwitchingSeries •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -SoftSwitchingApplications -InductionHeating •TrenchStop® andFieldstoptechnologyfor1200Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -easyparallelswitchi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW40T120	文件：449.59 Kbytes Page：15 Pages	LOWLOSSDUOPACK:IGBTINTRENCHANDFIELDSTOPTECHNOLOGYWITHSOFT,FASTRECOVERYANTI-PARAALELEMCONHEDIODE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW40T120	文件：516.59 Kbytes Page：16 Pages	IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
K40T120	文件：516.59 Kbytes Page：16 Pages	IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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产品属性

产品编号：
FGH40T120SMD-F155
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，40A
开关能量：
2.7mJ（开），1.1mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
40ns/475ns
测试条件：
600V，40A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 1200V 80A 555W TO247-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FGH40T120供应商更新时间2024-6-11 17:21:00

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