IGBT，650 V，50A，场截止沟槽

此 ADF IGBT 系列采用第三代场截止沟道式 IGBT，提供极低的 VCE(sat)及更快速的开关特性，实现出色效率。 而且，这种技术针对各种 PFC（功率因数校正）拓扑进行全面优化；单级升压、多沟道交错式及超过 20KHz 的开关性能。 TO3P 封装提供超低热电阻，提供更广泛的 SOA，实现出色的系统稳定性。 •最大结温： TJ = 175°C\n•正温度系数，易于并联运行\n•高电流能力\n•低饱和电压： VCE(sat) = 1.7 V（典型值） @ IC = 50 A\n•ILM\n 部件 100% 检测\n•高输入阻抗\n•快速开关\n•紧密的参数分布\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN

ONSEMI

安森美半导体

battery charge management chip

文件：1.21193 Mbytes 页数：13 Pages

HMSEMI

华之美半导体

2A switch type 4.2V/4.35 lithium battery/3.6V

文件：1.60386 Mbytes 页数：19 Pages

HMSEMI

华之美半导体

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) • High Switching Speed • High Reliability APPLICATIONS • Designed for color TV horizontal output applicaitions

文件：93.79 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电