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FGA40N65SMD	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA40N65SMD	文件：3.23672 Mbytes Page：12 Pages	New Products, Tips and Tools for Power and Mobile Applications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA40N65SMD	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAM40N65H	文件：241.88 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
FGH40N65UFD	文件：729.1 Kbytes Page：9 Pages	650V,40AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild®’sfieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UPS,welderandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH40N65UFDTU	文件：729.1 Kbytes Page：9 Pages	650V,40AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild®’sfieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UPS,welderandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH40N65UFDTU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH40N65UFDTU	文件：478.2 Kbytes Page：10 Pages	IGBT-FieldStop650V,40A Description UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONSemiconductor’sfield stopIGBTsoffertheoptimumperformanceforAutomotiveChargers, Inverter,andotherapplicationswherelowconductionandswitching lossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVolt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HMG40N65T	文件：753.21 Kbytes Page：4 Pages	650V40Atrenchgatefieldcut-offtypeIGBT	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMS40N65T	文件：958.9 Kbytes Page：7 Pages	650VN-ChannelsuperjunctionMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
KGF40N65KDC	文件：1.50859 Mbytes Page：8 Pages	SEMICONDUCTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MIW40N65RA	文件：1.57301 Mbytes Page：10 Pages	TrenchandFieldStopIGBT650V40A Features •Lowswitchinglosses •Maximumjunctiontemperature175°C •Positivetemperaturecoefficient •Highruggedness,temperaturestable •Highshortcircuitcapability(5μs) •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCom	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MIW40N65RA-BP	文件：1.57301 Mbytes Page：10 Pages	TrenchandFieldStopIGBT650V40A Features •Lowswitchinglosses •Maximumjunctiontemperature175°C •Positivetemperaturecoefficient •Highruggedness,temperaturestable •Highshortcircuitcapability(5μs) •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCom	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
NGTB40N65IHRTG	文件：228.99 Kbytes Page：9 Pages	IGBTwithMonolithicReverseConductingDiode ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresrobustand costeffectiveFieldStop(FS2)trenchconstructionwithamonolithic RCDiode.ItprovidesacosteffectiveSolutionforapplicationswhere diodelossesareminimal.TheIGBTisoptimizedforlowconduction losses(lowVCEsat)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB40N65IHRWG	文件：132.89 Kbytes Page：8 Pages	IGBTwithMonolithicReverseConductingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PE40N65	文件：1.56432 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

产品属性

产品编号：
FGA40N65SMD
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
IGBT 类型：
场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，40A
开关能量：
820µJ（开），260µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
12ns/92ns
测试条件：
400V，40A，6 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3PN
描述：
IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	FGA40N65SMD	FAIRCHILD/仙童	2019+全新原装正品	TO-3P	8950	BOM配单专家,发货快,价格低	询价
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更多FGA40N65供应商更新时间2024-5-1 16:36:00

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