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FFSP0865A	文件：234.13 Kbytes Page：7 Pages	Marking：FFSP0865A；Package：TO-220-2LD；Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 8 A Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSP0865A	文件：272.97 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifier FEATURES ·HighSurgeCurrentCapacity ·EasyOfParalleling ·NoReverseRecovery APPLICATIONS ·SMPS ·UPS ·PowerSwitchingCircuits	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FFSP0865A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 650V 13A TO220-2	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
P0865	文件：136.17 Kbytes Page：4 Pages	TREKP0865 APPLICATIONS ChargeaccumulationmonitoringoftheLCDproductionprocesses Monitoringsurfacepotentialsintheelectrostaticpaintingprocess Researchanddevelopmentintheelectrophotographicprocess Measuringelectrostaticpotentialsonpolymers,rubber,fabrics,andpaper	ADVANCEDENERGYAdvanced Energy Industries, Inc. 先进能源工业先进能源工业公司	ADVANCEDENERGY
P0865ETF	文件：216.4 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelHighVoltageModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
P0865VD	文件：204.83 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelHighVoltageModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
P0865VTF	文件：204.12 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelHighVoltageModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
PCDD0865GB	文件：440.57 Kbytes Page：5 Pages	SiliconCarbideSchottkyBarrierDiode Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability CompetitiveVF1.3Vatratedcurrent LowConductionLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard App	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PCDP0865GB	文件：331 Kbytes Page：5 Pages	SiliconCarbideSchottkyBarrierDiode Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability CompetitiveVF1.3Vatratedcurrent LowConductionLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PCDP0865GC	文件：332.75 Kbytes Page：5 Pages	SiliconCarbideSchottkyBarrierDiode Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability LowSwitchingLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard Application PFC,UPS,PV	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

产品属性

产品编号：
FFSP0865A
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
13A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
463pF @ 1V，100kHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-2
供应商器件封装：
TO-220-2
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 650V 13A TO220-2

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