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FFSB0865B	文件：335.75 Kbytes Page：6 Pages	Marking：FFSB0865B；Package：D2PAK2；Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 8A, 650 V, D2, D2PAK-2L SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSiliconCarbide	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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FFSB0865B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：650V 8A SIC SBD GEN1.5	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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FFSB0865B-F085_V01	文件：333.21 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 8 A SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSiliconCarbide	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
FFSB0865B
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
10.1A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
336pF @ 1V，100kHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D²PAK-2（TO-263-2）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
650V 8A SIC SBD GEN1.5

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更多FFSB0865B供应商更新时间2025-7-24 15:01:00

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