Ultrafast Recovery Diode

FEATURES ·Hyperfast Soft Recovery ·Low on-state losses ·Low thermal resistance ·Avalanche Energy Rated APPLICATIONS ·General Purpose ·Free Wheeling Diode

文件：275.37 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

Low Stored Charge

文件：736.1 Kbytes 页数：3 Pages

MICROSS

ThinkiSemi 30Amperes,600Volts SwitchMode Ultrafast Recovery Epitaxial Diode

文件：2.38463 Mbytes 页数：4 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

STEALTH II Rectifier

文件：238.68 Kbytes 页数：5 Pages

Fairchild

仙童半导体

30A, 600V STEALTHTM II Rectifier

文件：511.88 Kbytes 页数：6 Pages

Fairchild

仙童半导体

30A, 600V STEALTHTM II Rectifier

文件：511.88 Kbytes 页数：6 Pages

Fairchild

仙童半导体

STEALTH II Rectifier

文件：238.68 Kbytes 页数：5 Pages

Fairchild

仙童半导体

ThinkiSemi 30Amperes,600Volts SwitchMode Ultrafast Recovery Epitaxial Diode

文件：2.60235 Mbytes 页数：4 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

30A，600V，STEALTH™ II 二极管

FFP30S60S 为代软恢复特性的 STEALTH™ II 代二极管。它采用氮化硅钝化的离子布植式外延平面结构。此器件在开关电源及其他电源开关应用中用作续流或升压二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。 •Stealth 恢复，Trr = 40 ns（需 IF = 30 A）\n•最大正向电压，VF = 2.6 V（需 TC = 25°C）\n•600 V 反向电压和高可靠性\n•雪崩能量额定值\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

Low Stored Charge

Micross