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FF200R12MT4	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT模块 EconoDUAL™ 2 1200V dual IGBT module with fast trench/fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and NTC ·High Short Circuit Capability\n ·Self Limiting Short Circuit Current\n ·Low Switching Losses\n ·High Power Density\n ·Isolated Base Plate\n ·Standard Housing;	Infineon 英飞凌	Infineon
FF200R12MT4BOMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MODULE 1200V 1050W	Infineon 英飞凌	Infineon
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FF200R17KE4	文件：0 bytes Page：0 Pages	Infineon Technologies Module	Infineon Technologies 上传：深圳市华睿芯科技有限公司	Infineon Technologies
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详细参数

型号：
FF200R12MT4
功能描述：
IGBT 模块 IGBT-MODULE
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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