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FDWS86368_F085

N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 80A, 4.5mΩ

典型 RDS(on) = 3.7 mΩ(VGS = 10 V、ID = 80 A)典型值 Qg(tot) = 57 nC(VGS = 10V, ID = 80 A 时)UIS 能力符合RoHS标准符合 AEC Q101 标准 • Typical RDS(on) = 3.7 mΩ at VGS = 10 V, ID = 80 A\n• UIS Capability\n• Qualified to AEC Q101\n• Wettable Flanks for Automatic Optical Inspection (AOI);

ONSEMI

安森美半导体

FDWS86368-F085

MOSFET ??N-Channel, POWERTRENCH 80 V, 80 A, 4.5 m

文件:426.71 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDWS86368-F085

POWER56

ON

FDY1002PZ

SOT563

FSC

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V):

    80

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    80

  • PD Max (W):

    214

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    4.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    57

  • Ciss Typ (pF):

    4350

  • Package Type:

    DFN-8

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更多FDWS86368供应商 更新时间2025-11-7 15:08:00