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FDW9926NZ	文件：120.07 Kbytes Page：5 Pages	Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET General Description This N-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchilds Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 10V). Features • 4.5 A, 20 V. RDS(ON) = 32 mW @ V 文件：120.07 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDW9926NZ-TP	文件：3.17267 Mbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Application \| Battery protection « Battery Powered Systems \| « Power management » Motor Control « Portable Power Adaptors 文件：3.17267 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
FDW9926A	文件：117.54 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 文件：117.54 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDW9926A	文件：251.03 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 文件：251.03 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDW9926A_08	文件：251.03 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 文件：251.03 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDW9926A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDW9926NZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
FDW9926
功能描述：
MOSFET 2.5V COMMON DRAIN NCH POWER TRENCH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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