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FDW256P	文件：67.85 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V – 25V). Features • –8 A, –30 V RDS(ON) = 13.5 ΩW 文件：67.85 Kbytes 页数：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDW256P	文件：216.01 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel PowerTrench MOSFET 文件：216.01 Kbytes 页数：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDW256P_08	文件：216.01 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel PowerTrench MOSFET 文件：216.01 Kbytes 页数：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDW256P	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V P-Channel PowerTrench MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
FDW256P
功能描述：
MOSFET TSSOP8 SINGLE PCH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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