| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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FAIRCHILSOT223 |
2826 |
1236+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)SOT-223-4 |
10613 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-223 |
1820 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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FAIRCHILSOT223 |
50000 |
23+ |
全新原装现货热卖 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT223 |
7906200 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT-223 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市羿芯诚电子有限公司11年
留言
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FAISOP |
2860 |
20+ |
原厂原装正品价格优惠公司现货欢迎查询 |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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ON(安森美)SOT-223-4 |
25900 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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ON/安森美SOT-223 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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Fairchild(飞兆/仙童)SOT-223-4 |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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博速半导体（深圳）有限公司1年
留言
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ONSOT223 |
15963 |
ROHS环保 |
原装正品，支持实单 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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ON/安森美ORIGINAL |
25000 |
22+ |
原装现货、假一赔十 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT223 |
28650 |
23+ |
主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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Fairchild(飞兆/仙童)SOT-223-4 |
5488 |
2305+ |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT-223 |
300000 |
18+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ON/安森美SOT223 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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11704 |
23+ |
全新原装，有询必回 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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FAIRCHILDSOT-223 |
10000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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FAIRCHILDRCHILDSOT223 |
7500 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市森海汇恒科技有限公司1年
留言
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1811 |
FDT43采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
FDT43图片
FDT434P价格
FDT434P价格：￥1.4017品牌：FAIRCHILD
生产厂家品牌为FAIRCHILD的FDT434P多少钱，想知道FDT434P价格是多少？参考价：￥1.4017。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FDT434P批发价格及采购报价，FDT434P销售排行榜及行情走势，FDT434P报价。
FDT434P中文资料Alldatasheet PDF
更多FDT434P功能描述:MOSFET SOT-223 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDT434P_Q功能描述:MOSFET SOT-223 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDT439N功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDT439N_Q功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
