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3N40	文件：67.41 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching •FEATURES •DrainCurrentID=3A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.6Ω(Max) •FastSwitching •APPLICATIONS •Switchregulators •Switchingconvertersmotordriversandrelaydrivers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
3N40	文件：198.32 Kbytes Page：6 Pages	3A,400VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC3N40isanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyspecializesinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulse	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N40G-TND-R	文件：211.42 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETFORHIGHSPEEDSWITCHING	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N40KG-TMS-T	文件：228.97 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N40KG-TND-R	文件：228.97 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N40KL-TMS-T	文件：228.97 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N40KL-TND-R	文件：228.97 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N40K-MK	文件：228.97 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N40K-MT	文件：222.12 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC3N40K-MTisanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyspecializesinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergyp	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N40L-TND-R	文件：211.42 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETFORHIGHSPEEDSWITCHING	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
AOD3N40	文件：309.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD3N40	文件：395.16 Kbytes Page：6 Pages	400V,2.6AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD3N40	文件：2.66814 Mbytes Page：6 Pages	400V,2.6AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD3N40	文件：1.07701 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
D3N40	文件：395.16 Kbytes Page：6 Pages	400V,2.6AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
FDD3N40	文件：298.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.4Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD3N40	文件：726.67 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD3N40TF	文件：726.67 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD3N40TM	文件：726.67 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD3N40TM	文件：1.07862 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
FDT3N40
功能描述：
MOSFET 400V N-Chan UniFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	FDT3N40	ON/安森美	20+	SOT-223	120000	原装正品可含税交易	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	FDT3N40	ON/安森美		SOT2234TO2614	7906200		询价
深圳市科芯源微电子有限公司	FDT3N40	ON/安森美	23+	SOT-223	100586	全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	FDT3N40	ON/FAIRCHILD	21+	SOT-223-4 / TO-261-4	10000	原装现货假一赔十	询价
深圳市赛能新源半导体有限公司	FDT3N40	ON/FAIRCHILD	21+	SOT-223-4 / TO-261-4	56000	公司进口原装现货批量特价支持	询价
深圳市联成美业电子有限公司	FDT3N40	ON/安森美	22+		24000	询价拨打15919799957全天在线	询价
深圳市广弘电子有限公司	FDT3N40	ON/安森美	2021+	SOT-223	1000	13632880263	询价
深圳市赛美科科技有限公司	FDT3N40	FA		NA	8560	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	FDT3N40	ON	2022+	SOT-223-4 / TO-261-4	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市跃创芯科技有限公司	FDT3N40	FAIRCHILD/仙童	2022+	SOT-223	30000	进口原装现货供应,绝对原装假一罚十	询价

更多FDT3N40供应商更新时间2024-5-27 14:02:00

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