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FDS8812NZ

N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 20A, 4.0mohm

General Description This N-Channel MOSFET isproduced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. Features „Max rDS(on) =4.0mΩat VGS = 10V, ID= 20A „Max rDS(on) =4.9mΩat VGS = 4.5V, ID=18A „

文件:469.86 Kbytes 页数:6 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDS8812NZ-NL

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.0061 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

FDS8812NZ

N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 20A, 4.0mohm

ONSEMI

安森美半导体

HE8812SG

GaAlAs Infrared Emitting Diode

文件:140.53 Kbytes 页数:6 Pages

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

HE8812SG

GaAlAs Infrared Emitting Diode

文件:89.68 Kbytes 页数:4 Pages

OPNEXT

KTZ8812

Programmable Dual Output Power Supply

Features • Input voltage range (2.7V to 5.5V) • Dual output regulator with single inductor • High efficiency above 85 • Charge pump with PFM mode at light load • Programmable output voltages • Positive output voltage range  +4.0V to +6.3V (100mV/step) • Negative output voltage range 

文件:108.9 Kbytes 页数:2 Pages

KINETIC

芯凯电子

详细参数

  • 型号:

    FDS8812

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDS8812供应商 更新时间2025-11-4 13:27:00