30V N-Channel PowerTrench SyncFET

General Description The FDS6676AS is designed to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS(ON)and low gate charge. The FDS6676AS includes an integrated Schottky diod

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Fairchild

仙童半导体

丝印：FDS6676；Package：SOP-8；30V N-Channel MOSFET

Features • Includes SyncFET Schottky body diode • Low gate charge (45nC typical) • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) and fast switching • High power and current handling capability RoHS Compliant (VGS = 10V) VDS (V) =30V ID = 13 A RDS(ON)

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30V N-Channel PowerTrench짰 SyncFET

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30V N-Channel PowerTrench짰 SyncFET?

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N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，14.5A，6.0mΩ

FDS6676AS设计用于替代同步DC:DC电源中的一个单SO-8 MOSFET和肖特基二极管。 此30V MOSFET设计用于最大限度地提高功率转换效率，提供一个低RDS(ON)和低栅极电荷。 FDS6676AS包含使用飞兆半导体单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。 •14.5A，30V RDS(on) = 6.0mΩ @ VGS = 10V RDS(on) = 7.25mΩ @ VGS = 4.5V\n•包含SyncFET肖特基体二极管\n•低栅极电荷（45nC，典型值）\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)和快速开关\n•高功率和高电流处理能力;

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