P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= -30V, ID= -14A RDS(ON)

文件：1.9309 Mbytes 页数：5 Pages

Bychip

百域芯

P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -11A, 13mOhm

文件：360.25 Kbytes 页数：6 Pages

Fairchild

仙童半导体

P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：457.63 Kbytes 页数：6 Pages

Fairchild

仙童半导体

P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：457.63 Kbytes 页数：6 Pages

Fairchild

仙童半导体

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：998.63 Kbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-11A，13mΩ

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件非常适合笔记本电脑和便携电池组中的电源管理和负载开关应用。 •VGS = -10V，ID = -11A时，最大rDS(on) = 13mΩ\n•VGS = -4.5V，ID = -9A时，最大rDS(on) = 21.8mΩ\n•扩展了VGS范围(-25V)，适合电池应用\n•HBM ESD保护等级典型值为5.4kV（注3）\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体