丝印：FDS6673BZ；Package：SO-8；P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -30V, -14.5A, 7.8m廓

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ONSEMI

安森美半导体

P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -14.5A, 7.8m Ohm

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Fairchild

仙童半导体

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，14.5A，7.8mΩ

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 该器件非常适合笔记本电脑和便携电池组中的电源管理和负载开关应用。 •最大rDS(on) = 7.8mΩ，VGS = -10V，ID = -14.5A\n•最大rDS(on) = 12mΩ，VGS = -4.5V，ID = -12A\n•扩展了VGS范围(-25V)，适合电池应用\n•HBM ESD保护等级，典型值为6.5KV（注3）\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-14.5A，7.8mΩ

此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 Power Trench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。 •最大 rDS(on) = 7.8 mΩ、VGS = -10 V、ID = -14.5 A\n•Max rDS(on) = 12mΩ，VGS = -4.5V，ID = -12A\n•扩展了VGS范围(-25V)，适合电池应用\n•HBM静电放电保护等级，典型值为6.5KV（注3）\n•高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准\n•符合 AEC Q101;

ONSEMI

安森美半导体