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LMV842MAX/NOPB	文件：1.56671 Mbytes Page：38 Pages	CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeOperationalAmplifiers	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LMV842MAX/NOPB	文件：1.72488 Mbytes Page：38 Pages	LMV84xCMOSInput,RRIO,LowPower,WideSupplyRange,4.5-MHzOperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMV842MAXSLASHNOPB	文件：1.56671 Mbytes Page：38 Pages	CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeOperationalAmplifiers	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LMV842MAXSLASHNOPB	文件：1.72488 Mbytes Page：38 Pages	LMV84xCMOSInput,RRIO,LowPower,WideSupplyRange,4.5-MHzOperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMV842MM	文件：1.2112 Mbytes Page：22 Pages	CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMV842MM	文件：1.16512 Mbytes Page：20 Pages	CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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详细参数

型号：
FDR842P_Q
功能描述：
MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDR842P_Q供应商更新时间2025-7-19 20:00:00

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