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IRF842	文件：271.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. ●VGSRatedat±20V ●SiliconGateforFastSwitchingSpe	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRFS842	文件：270.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS842	文件：319.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
JIC-842	文件：3.00175 Mbytes Page：48 Pages	ToolsforTelecom,FiberOptics,CATV,Satellite,Security&Alarm,WirelessandElectronicsIndustries	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
KRC842E	文件：69.41 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION FEATURES WithBuilt-inBiasResistors. SimplifyCircuitDesign. ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRC842T	文件：69.53 Kbytes Page：5 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHCURRENTSWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighOutputCurrent:800mA.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRC842U	文件：69.89 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
LMV842	文件：1.16512 Mbytes Page：20 Pages	CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMV842	文件：1.2112 Mbytes Page：22 Pages	CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMV842	文件：1.56671 Mbytes Page：38 Pages	CMOSInput,RRIO,WideSupplyRangeOperationalAmplifiers	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

详细参数

型号：
FDR842P_Q
功能描述：
MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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