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FDPF33N25	文件：832.62 Kbytes Page：8 Pages	250V N-Channel MOSFET 文件：832.62 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDPF33N25	文件：467.14 Kbytes Page：10 Pages	250V N-Channel MOSFET 文件：467.14 Kbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDPF33N25T	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDPF33N25T	文件：1.21132 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel MOSFET Description UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable 文件：1.21132 Mbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDPF33N25TRDTU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDPF33N25T	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，250 V，33 A，94 mΩ，TO-220F UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及照明设备用镇流器。 •RDS(on) = 94mΩ （最大值）@ VGS = 10V, ID = 16.5A\n•低栅极电荷（典型值 36.8nC） \n•低 Crss（典型值 39pF） \n•100% 经过雪崩击穿测试;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDPF33N25TRDTU	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道 UniFETTM MOSFET 650V，15A，440 mΩ UniFETTMMOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。该 MOSFET 产品专用于降低导通电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。 •RDS(on) = 94 mΩ （最大值）（VGS = 10 V、ID = 16.5 A）栅极电荷低（典型值： 36.8 nC）\n•低 Crss（典型值 39 pF）\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•100% avalanche tested;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
250
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
33
PD Max (W)：
37
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
94
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
36.8
Ciss Typ (pF)：
1640
Package Type：
TO-220-3 FullPak

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更多FDPF33N25供应商更新时间2025-10-11 16:30:00

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