isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.85mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

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ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET 500V, 9A, 0.85廓

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Fairchild

仙童半导体

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500V，9A，850mΩ，TO-220F

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 UniFET FRFET® MOSFET 体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此，它在 MOSFET 体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功 •RDS(on) = 710mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 4.5A\n•低栅极电荷（典型值 18nC） \n•低 Crss（典型值 10pF） \n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高了 dv/dt 处理能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.05mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

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ISC

无锡固电

High Voltage Power Supplies

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TDK

东电化