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FDP4D5N10C	文件：1.02386 Mbytes Page：8 Pages	丝印：FDP4D5N10C；Package：TO-220；N-Channel Shielded Gate PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 128 A, 4.5 m廓文件：1.02386 Mbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDP4D5N10C	文件：301.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：301.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDP4D5N10C	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, 100V, 128A, 4.5mΩ This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode. • Max RDS(on) = 4.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 128 A\n• Power Density & Shielded GatePower Density & Shielded GateHigh efficiency / High performance\n• High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on)\n• High power density with Shielded gate technology\n• Extremely Low Reverse Recovery Charg;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDPF4D5N10C	文件：1.02386 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel Shielded Gate PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 128 A, 4.5 m廓文件：1.02386 Mbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDPF4D5N10C	文件：243.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：243.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
128
PD Max (W)：
150
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
4.5
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
48
Ciss Typ (pF)：
3615
Package Type：
TO-220-3

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更多FDP4D5N10C供应商更新时间2025-10-6 10:22:00

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