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FDP42AN15A0数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDP42AN15A0

功能描述

N 沟道,Power Trench® MOSFET,150V,35A,42mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 9:04:00

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FDP42AN15A0规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET 150 V, 35 A, 42 mΩ

特性 Features

•RDS(on) = 36 mΩ (典型值) @ VGS = 10V, ID = 12A
•QG(tot) = 33 nC(典型值) @ VGS = 10V
•低米勒电荷
•低 Qrr体二极管
•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)

应用 Application

• 消费型设备
• Automotive Engine Control
• PowerTrain Management
• Solenoid and Motor Drivers
• Integrated Starter/Alternator
• Primary Switch for 12V Systems

技术参数

  • 制造商编号

    :FDP42AN15A0

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :150

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :35

  • PD Max (W)

    :150

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :42

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :30

  • Ciss Typ (pF)

    :2040

  • Package Type

    :TO-220-3

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