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FDP42AN15A	文件：354.7 Kbytes Page：3 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=42mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDP42AN15A0	文件：354.92 Kbytes Page：3 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=42mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDP42AN15A0	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，35A，42mΩ N-Channel PowerTrench® MOSFET 150 V, 35 A, 42 mΩ; •RDS(on) = 36 mΩ （典型值） @ VGS = 10V, ID = 12A\n•QG(tot) = 33 nC（典型值） @ VGS = 10V\n•低米勒电荷\n•低 Qrr体二极管\n•UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）\n;	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDP42AN15A0	文件：258.22 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDP86363-F085	文件：0 bytes Page：0 Pages	q NA	q 上传：深圳深宇韬电子科技有限公司	q

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
150
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
35
PD Max (W)：
150
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
42
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
30
Ciss Typ (pF)：
2040
Package Type：
TO-220-3

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更多FDP42AN15A供应商更新时间2025-8-2 10:32:00

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