选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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ON(安森美)SOT23 |
25900 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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ON标准 |
27001 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SOT23-8 |
18000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
12800 |
22+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT23 |
13397 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市恒嘉威智能科技有限公司2年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
14324 |
21+ |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司7年
留言
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ON/安森美SOT23 |
15000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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UMW 友台SOT-23 |
21000 |
23+ |
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原装正品,实单请联系 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
10053 |
2105+ |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON Semi/安森美SOT23 |
16800 |
2022+ |
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只做原装进口 免费送样 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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ONSOT23-3 |
556 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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ON/安森美SOT23-3 |
12000 |
22+ |
只做原装合作共赢长期订货 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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FairchildTO-236-3 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司7年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
36900 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-23 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT23 |
7906200 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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安森美SOT23 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市兴灿科技有限公司8年
留言
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ON/安森美23+ |
16500 |
2021+ |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
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FDN56图片
FDN5630价格
FDN5630价格:¥0.4791品牌:FAIRCHILD
生产厂家品牌为FAIRCHILD的FDN5630多少钱,想知道FDN5630价格是多少?参考价:¥0.4791。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,FDN5630批发价格及采购报价,FDN5630销售排行榜及行情走势,FDN5630报价。
FDN5618P资讯
FDN5618P公司原装现货
瀚佳科技(深圳)有限公司专业进口电子元器件代理商
FDN5618P中文资料Alldatasheet PDF
更多FDN5618制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDN5618P功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDN5618P-CUT TAPE制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDN5618P Series 60 V 0.170 Ohm P-Channel Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3
FDN5630功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDN5630N制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SuperSOT -3
FDN5632N制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
FDN5632N_F085功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 60V 1.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube