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FDMS86180 | N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,100 V,151A,3.2mΩ; • 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大 rDS(on) = 3.2 mΩ(VGS = 10 V、ID = 67 A)\n• 最大 rDS(on) = 7.9 mΩ(VGS = 6 V、ID = 33 A)\n•比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%\n•降低了开关噪声/EMI\n•MSL1 强健封装设计\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准\n; N 沟道 MV MOSFET 采用 Fairchild 的先进 PowerTrench® 工艺制造而成,该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺已优化实现最小的通态电阻,同时通过业界最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
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技术参数
- Pb-free:
Pb
- Halide free:
H
- Status:
Active
- Channel Polarity:
N-Channel
- Configuration:
Single
- V(BR)DSS Min (V):
100
- VGS Max (V):
4
- VGS(th) Max (V):
4
- ID Max (A):
151
- PD Max (W):
138
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):
3.2
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):
38
- Ciss Typ (pF):
4439
- Package Type:
PQFN-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ON/安森美 |
22+ |
QFN8 |
60000 |
原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
QFN8 |
32360 |
ON/安森美全新特价FDMS86180即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
20+ |
PQFN-8 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
ONSEMI |
25+ |
QFN8 |
6000 |
全新原装现货、诚信经营! |
询价 | ||
ON(安森美) |
2023+ |
Power-56-8 |
4550 |
全新原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
QFN8 |
22048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
Power-56-8 |
12334 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
ON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
25900 |
新到现货,只有原装 |
询价 | |||
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
21+ |
NA |
3000 |
只做原装,假一罚十 |
询价 |
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更新时间2025-7-30 15:18:00
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