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IW3622	文件：414.33 Kbytes Page：6 Pages	Off-LineDigitalPowerControllerforLEDDriver	DialogDialog Semiconductor 戴乐格	Dialog
KUWTN-3622	文件：157.46 Kbytes Page：6 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
KUWTN-3622/Q	文件：157.46 Kbytes Page：6 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
KUWTN-3622SLASHQ	文件：157.46 Kbytes Page：6 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
LM3622	文件：171.03 Kbytes Page：9 Pages	Lithium-IonBatteryChargerController	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM3622	文件：892.61 Kbytes Page：15 Pages	Lithium-IonBatteryChargerController	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMG3622	文件：1.2679 Mbytes Page：29 Pages	LMG3622650-V120-mΩGaNFETWithIntegratedDriverandCurrent-SenseEmulation 1Features •650-V120-mΩGaNpowerFET •Integratedgatedriverwithlowpropagationdelays andadjustableturn-onslew-ratecontrol •Current-senseemulationwithhighbandwidthand highaccuracy •Cycle-by-cycleovercurrentprotection •OvertemperatureprotectionwithFLTpinreporting	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMG3622	文件：1.33869 Mbytes Page：30 Pages	LMG3622650-V120-mΩGaNFETWithIntegratedDriverandCurrent-SenseEmulation 1Features •650-V120-mΩGaNpowerFET •Integratedgatedriverwithlowpropagationdelays andadjustableturn-onslew-ratecontrol •Current-senseemulationwithhighbandwidthand highaccuracy •Cycle-by-cycleovercurrentprotection •OvertemperatureprotectionwithFLTpinreporting	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LMG3622REQR	文件：1.2679 Mbytes Page：29 Pages	LMG3622650-V120-mΩGaNFETWithIntegratedDriverandCurrent-SenseEmulation 1Features •650-V120-mΩGaNpowerFET •Integratedgatedriverwithlowpropagationdelays andadjustableturn-onslew-ratecontrol •Current-senseemulationwithhighbandwidthand highaccuracy •Cycle-by-cycleovercurrentprotection •OvertemperatureprotectionwithFLTpinreporting	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LTC3622	文件：1.24803 Mbytes Page：24 Pages	17V,Dual1ASynchronousStep-DownRegulatorwithUltralowQuiescentCurrent	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER

详细参数

型号：
FDMS3622S
功能描述：
MOSFET PowerStage 25V Dual N-Channel MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDMS3622S供应商更新时间2025-7-20 11:04:00

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