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FDMS36101L_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，38A，26mΩ FDMS36101L_F085 典型 rDS(on) = 18 mΩ（需 VGS = 10 V、ID = 20 A）\n典型 Qg(tot) = 70 nC（需 VGS = 10 V、ID = 20 A）\n UIS 能力\n 符合 RoHS 标准\n 符合 AEC Q101;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMS36101L_F085	文件：421.42 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power Trench MOSFET 100V, 38A, 26m 文件：421.42 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
P36101	文件：168.54 Kbytes Page：3 Pages	P36 P36S SERIES ROTARY DIP SWITCHES 文件：168.54 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
P36101	文件：344.53 Kbytes Page：2 Pages	P36 & P36S SERIES ROTARY DIP SWITCHES 文件：344.53 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

技术参数

Compliance：
AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
100V
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
38
PD Max (W)：
94
GS = 2.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)：
3945
Package Type：
PQFN-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDMS36101L供应商更新时间2025-10-31 14:17:00

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